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J-GLOBAL ID：200903089500700862

ドライエッチング方法

Inventor：
北川 英夫

About 北川 英夫

, 
鈴木 伸昌

About 鈴木 伸昌


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999202953
Publication number (International publication number)：2001035832
Application date： Jul. 16, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】 エッチング形状が良好であり且つ有機低誘電率絶縁膜の膜質の劣化のないドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 層間絶縁膜として形成された、有機低誘電率絶縁膜を含む積層膜のドライエッチング方法において、エッチングガスとして水素、窒素の一方又は両方を含むガス(第一のガス)とリン又は硫黄又はシリコンを容易に遊離するガス(第二のガス)との混合ガス、あるいは、第一のガスと第二のガスと希ガス(第三のガス)との混合ガス、あるいは、第二のガスと第三のガスとの混合ガスを、半導体基板が設置された真空容器内に導入し、プラズマ生成手段に高周波電力を印加してプラズマを生成し、プラズマを用いて半導体基板表面に形成された有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行うドライエッチング方法。
Claim (excerpt)：
層間絶縁膜として形成された、有機低誘電率絶縁膜を含む積層膜のドライエッチング方法において、水素原子、窒素原子の一方又は両方を含むガスであるところの第一のガスと、リン又は硫黄又はシリコン原子を容易に遊離するガスであるところの第二のガスとの混合ガスを、半導体基板が設置された真空容器内に導入し、プラズマ生成手段に高周波電力を印加してプラズマを生成し、該プラズマを用いて半導体基板表面に形成された有機低誘電率絶縁膜のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
F-Term (13)：
5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB23 ,  5F004EA28 ,  5F004EB03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • Proceedings of Symposium on Dry Process, 1998, p.175-182
  • Proceedings of the 7th Sony Research Forum, 1998, p.365-366
  • Proceedings of Symposium on Dry Process, 1998, p.175-182
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