半導体加速度センサ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997086331
Publication number (International publication number)：1998123166
Application date： Apr. 04, 1997
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】安定した出力特性を得ると共に、構造の簡単化を実現すること。【解決手段】半導体センサチップ21は、枠体22内に梁部24を介して支持された重錘部23を有し、上記梁部24に形成された抵抗要素のピエゾ抵抗効果を利用して±1G前後までの加速度を検知できるように構成される。半導体センサチップ21は、これと同等の熱膨張係数を有した台座26に対し、枠体22を介して支持される。このとき、枠体22と台座26との間は、スペーサとして機能する複数個の樹脂ビーズ28を配合した可撓性接着剤29により接着されるものであり、その接着状態では、重錘部23及び台座26間のエアギャップの寸法を7〜15μmの範囲に設定することにより、重錘部23のエアダンピングを行うようにしている。

Claim (excerpt)：

梁部を介して支持された重錘部を有し、上記梁部に形成された抵抗要素のピエゾ抵抗効果を利用して±1G前後までの加速度を検知できるように構成された半導体センサチップを備えた半導体加速度センサにおいて、前記半導体センサチップをこれと同等の熱膨張係数を有した材料により形成された台座により支持すると共に、この台座に対し前記重錘部を近接配置することによって当該重錘部のエアダンピングを行うように構成し、前記重錘部及び台座間のエアギャップの寸法を7μm以上に設定したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (3)：

G01P 15/12 , G01P 15/08 , H05K 9/00

FI (3)：

G01P 15/12 , G01P 15/08 Z , H05K 9/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体加速度センサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-221566 Applicant：日本電気株式会社
加速度検出装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-076774 Applicant：日本電装株式会社
半導体力学センサ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-246357 Applicant：日本電装株式会社

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