Pat
J-GLOBAL ID:200903010192064288
導電性厚膜組成物、電極、およびそれから形成される半導体デバイス
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
谷 義一
, 阿部 和夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006112247
Publication number (International publication number):2006313744
Application date: Apr. 14, 2006
Publication date: Nov. 16, 2006
Summary:
【課題】新規なAg/Al包含組成物および半導体デバイスの提供。【解決手段】(a)(1)Al、Cu、Au、Ag、PdおよびPt;(2)Al、Cu、Au、Ag、PdおよびPtの合金;および(3)それらの混合物から選択される導電性金属粒子と、(b)Pbフリーであるガラスフリットと、(c)有機媒体とを含み、成分(a)および(b)が成分(c)中に分散されており、該導電性金属粒子の平均直径が0.5〜10.0μmの範囲内である導電性厚膜組成物、および該組成物から形成される電極ならびに該電極を含む半導体デバイス(例えば、太陽電池)。【選択図】図1F
Claim (excerpt):
(a)(1)Al、Cu、Au、Ag、PdおよびPt;(2)Al、Cu、Au、Ag、PdおよびPtの合金;および(3)それらの混合物から選択される導電性金属粒子と、
(b)Pbフリーであるガラスフリットと、
(c)有機媒体と
を含み、成分(a)および(b)が成分(c)中に分散されており、前記導電性金属粒子の平均直径が0.5〜10.0μmの範囲内であることを特徴とする厚膜導電性組成物。
IPC (3):
H01B 1/22
, H01L 21/28
, H01L 31/04
FI (3):
H01B1/22 Z
, H01L21/28 301R
, H01L31/04 Z
F-Term (27):
4M104AA01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104CC01
, 4M104DD51
, 4M104GG05
, 5F051AA14
, 5F051AA18
, 5F051CB27
, 5F051EA15
, 5F051FA06
, 5F051GA04
, 5G301DA03
, 5G301DA04
, 5G301DA05
, 5G301DA06
, 5G301DA11
, 5G301DA32
, 5G301DA34
, 5G301DA36
, 5G301DA38
, 5G301DA42
, 5G301DD10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成された電極を備える太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-291438
Applicant:株式会社村田製作所
-
導電ペースト及びそれを用いた太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-150722
Applicant:株式会社村田製作所
-
導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-279356
Applicant:株式会社村田製作所
-
太陽電池素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-184437
Applicant:京セラ株式会社, 昭栄化学工業株式会社
-
太陽電池素子の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-130758
Applicant:京セラ株式会社, 昭栄化学工業株式会社
-
太陽電池素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-332416
Applicant:京セラ株式会社
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