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J-GLOBAL ID:200903010192064288

導電性厚膜組成物、電極、およびそれから形成される半導体デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006112247
Publication number (International publication number):2006313744
Application date: Apr. 14, 2006
Publication date: Nov. 16, 2006
Summary:
【課題】新規なAg/Al包含組成物および半導体デバイスの提供。【解決手段】(a)(1)Al、Cu、Au、Ag、PdおよびPt;(2)Al、Cu、Au、Ag、PdおよびPtの合金;および(3)それらの混合物から選択される導電性金属粒子と、(b)Pbフリーであるガラスフリットと、(c)有機媒体とを含み、成分(a)および(b)が成分(c)中に分散されており、該導電性金属粒子の平均直径が0.5〜10.0μmの範囲内である導電性厚膜組成物、および該組成物から形成される電極ならびに該電極を含む半導体デバイス(例えば、太陽電池)。【選択図】図1F
Claim (excerpt):
(a)(1)Al、Cu、Au、Ag、PdおよびPt;(2)Al、Cu、Au、Ag、PdおよびPtの合金;および(3)それらの混合物から選択される導電性金属粒子と、 (b)Pbフリーであるガラスフリットと、 (c)有機媒体と を含み、成分(a)および(b)が成分(c)中に分散されており、前記導電性金属粒子の平均直径が0.5〜10.0μmの範囲内であることを特徴とする厚膜導電性組成物。
IPC (3):
H01B 1/22 ,  H01L 21/28 ,  H01L 31/04
FI (3):
H01B1/22 Z ,  H01L21/28 301R ,  H01L31/04 Z
F-Term (27):
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104GG05 ,  5F051AA14 ,  5F051AA18 ,  5F051CB27 ,  5F051EA15 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5G301DA03 ,  5G301DA04 ,  5G301DA05 ,  5G301DA06 ,  5G301DA11 ,  5G301DA32 ,  5G301DA34 ,  5G301DA36 ,  5G301DA38 ,  5G301DA42 ,  5G301DD10
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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