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J-GLOBAL ID：200903010512020950

半導体発光素子及びそれを用いた発光装置

Inventor：
三賀 大輔

About 三賀 大輔

, 
粟飯原 善之

About 粟飯原 善之


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004195074
Publication number (International publication number)：2005039264
Application date： Jun. 30, 2004
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：
【課題】 本発明は、各電極の方向31,32と電極層の開口部形状を特定することで発光特性向上させる。【解決手段】 第1,2導電型層1,2とその間に発光層3を有する素子101において、電極が第1電極と、延伸部22とその下方の電極21を有する第2電極20において、延伸電極22aと第1電極10間の構造部51の電極21が2次元周期構造の開口部21bを有して、その互いに傾斜する軸方向と延伸方向31,32が異なることで、各電極22,21における電流面内拡散が公的なものとできる。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
発光層とそれを挟む第1,2導電型層に、それぞれ設けられた第1電極、第2電極を同一面側に有する発光素子において、 前記電極形成面内において、 前記第1導電型層が露出された第1電極形成部に第1電極、下方に第1,2導電型層に挟まれた発光層を有する発光構造部の第2導電型層に第2電極が設けられ、 前記第2電極が、開口部を有する下部電極と、その上に設けられ台座部を有する上部電極と有し、 前記上部電極が、互いに異なる2方向に延伸する延伸部を有し、 前記下部電極面内において、前記開口部が2次元周期構造を有して、該周期構造が互いに直角方向から傾斜した2つの軸でもって2次元配列されており、 前記周期構造の軸方向と、前記延伸方向が異なることを特徴とする発光素子。
IPC (1)：
H01L33/00
FI (2)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
F-Term (17)：
5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA08 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041DA04 ,  5F041DA08 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA43 ,  5F041DA47 ,  5F041DA63 ,  5F041DA73 ,  5F041DA77 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)
  • III族窒化物系化合物半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-101990   Applicant：豊田合成株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-357026   Applicant：三菱電線工業株式会社

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