Pat

J-GLOBAL ID：200903010539048113

半導体レーザ装置

Inventor： 高橋 幸司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998175243
Publication number (International publication number)：1999074607
Application date： Jun. 23, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaInNAsを活性層とする半導体レーザ装置において、クラッド層から活性層へのキャリアの注入を余分なエネルギー障壁なしに行うことができ、かつ、活性層へ注入されたキャリアを効果的に閉じ込めることができ、かつ、低電流・長寿命を実現できるように、ダブルヘテロ接合を構成する。【解決手段】 p型のクラッド層がAlGaAsから成り、n型のクラッド層がAlGaInPから成り、各層のAlのIII族比x(0≦x≦1)が0.05以下である構成とした。

Claim (excerpt)：

誘導放出光を発生する活性層と、活性層を挟んで異なる導電型を有するクラッド層を備え、レーザ発振を得るための共振器構造を備えた半導体レーザ装置であって、前記活性層がGaInNAsから成る層を含み、前記クラッド層のうちでp型の導電型を示す層がAlx1Ga1-x1Asから成り、前記クラッド層のうちでn型の導電型を示す層がAlx2InyGa1-x2-yPから成り、前記半導体レーザ装置を構成する各層のAlのIII族比x1,x2(0≦x1,x2≦1)が0.05以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体光素子とそれを用いた応用システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-023662   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体レーザおよび該半導体レーザを用いた光通信システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-304414   Applicant：株式会社日立製作所, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 特開昭59-031082
  
• 特開平2-224385
  
• 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-283422   Applicant：株式会社リコー

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 中間層の導入によるGaInNAs/GaAs量子井戸の長波長化