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J-GLOBAL ID：200903075623956364
半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996283422
Publication number (International publication number)：1998126004
Application date： Oct. 04, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】本発明はNを含む混晶半導体に適した低い成長温度で製造できる発光効率が高く、寿命の長い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、n型GaAs層である被成長基板2上に、被成長基板2に格子整合しバンドギャップエネルギーが1.53eVであるn型InGaAsP層で形成されたクラッド層3、Nを含む混晶半導体であるGa<SB>a</SB>In<SB>1-a</SB>N<SB>b</SB>As<SB>1-b </SB>(0<b<1)層である活性層(発光層)4、p型InGaAsP層で形成されたクラッド層5及びp<SP>+ </SP>型GaAs層で形成されたキャップ層6が順次積層されている。発光層4と接するクラッド層3、5がAlを含んでいないので、Nを含む混晶半導体に適した低い成長温度でも、Alを含んだ層の成長表面に形成されやすい製造装置内及び原料ボンベ内の酸素が被成長基板2の表面に取り込まれて発生する劣化の起源となる非発光再結合センターを低減でき、高発光効率で寿命の長いN系V族混晶半導体発光素子1を容易に製造できる。
Claim (excerpt)：
発光層とクラッド層、発光層とガイド層とクラッド層、あるいは、発光層とバリア層とガイド層とクラッド層が積層された積層構造からなる半導体発光素子において、前記発光層は、Nを含む混晶半導体Ga<SB>a</SB>In<SB>1-a</SB>N<SB>b</SB>As<SB>c</SB>P<SB>1-b-c </SB>(0≦a≦1、0<b<1、0≦c<1)層で形成され、前記発光層と直接接する前記クラッド層、前記ガイド層あるいは前記バリア層は、Alを含まない半導体層で形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
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半導体素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-141750
Applicant：株式会社日立製作所
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半導体レーザ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-296210
Applicant：株式会社日立製作所
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半導体光素子とそれを用いた応用システム
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-023662
Applicant：株式会社日立製作所
Article cited by the Patent：
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