抵抗変化機能体、メモリおよびその製造方法並びに半導体装置および電子機器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：青山葆 , 河宮治 , 山崎宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003067656
Publication number (International publication number)：2004281497
Application date： Mar. 13, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】絶縁体中に複数の導電性微粒子を含むメモリ機能体を備えたメモリであって実用性があるものを提供すること。【解決手段】絶縁体101中に、酸化銀104で覆われた銀微粒子103を複数個含んでなるメモリ機能体113が、第1の電極300と第2の電極411との間に挟まれている。第1の電極300と第2の電極411との間に所定の電圧を印加した前後で、メモリ機能体113を通して流れる電流の大小が変化して、その電流の大小に応じて記憶状態が判別される。電荷を捕獲する銀微粒子103は、電荷の通り抜けに対する障壁となる酸化銀104で覆われているので、メモリ機能体113は、常温で安定して電荷を保持することができる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

第1の電極と、第2の電極と、上記第1の電極と第2の電極との間に挟まれていると共に、第1の材料からなる媒体と、上記媒体中に、第2の材料で表面が覆われていると共に第3の材料からなる微粒子を、少なくとも1つ備える抵抗変化機能体であって、上記第2の材料は、電荷の通り抜けに対する障壁を有し、上記第3の材料は、電荷を保持する能力を有し、上記微粒子に蓄積された電荷の多寡により、上記第1の電極と第2の電極との間の電気抵抗が変化することを特徴とする抵抗変化機能体。

IPC (4)：

H01L27/10 , G11C13/00 , H01C13/00 , H01L29/66

FI (4)：

H01L27/10 451 , G11C13/00 A , H01C13/00 Z , H01L29/66 S

F-Term (19)：

5F083FZ10 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083MA06 , 5F083MA20 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平2-062005
薄膜バリスタの製造方法及び薄膜バリスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-124309 Applicant：株式会社村田製作所, 新技術事業団, 吉村昌弘
特開昭55-009478

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