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J-GLOBAL ID：200903010604371920

半導体集積回路及びその製造方法

Inventor：
金谷 宏行

About 金谷 宏行

, 
國島 巌

About 國島 巌


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998345368
Publication number (International publication number)：2000174228
Application date： Dec. 04, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【課題】 膜厚のスケーリングが容易であり、水素等の還元作用による特性劣化が抑制されるようにしたキャパシタを持つ半導体集積回路を提供する。【解決手段】 シリコン酸化膜により覆われた基板10上に形成されたキャパシタC1を有する半導体集積回路において、キャパシタC1は、基板10上にTi膜11を介して形成された下部Pt電極12と、この上に形成されて結晶化された第1のPZT膜13と、この上に形成されて結晶化された第2のPZT膜14と、この上に形成された上部Pt電極15とを有する。第1のPZT膜13は、Pt電極12から拡散したPtを含んで結晶化され、第2のPZT膜14にはPtの拡散は殆どない。第2のPZT膜14により、リークのない優れた分極特性が得られる。
Claim (excerpt)：
下部電極上に形成されて結晶化された第1の金属酸化物誘電体膜と、この第1の金属酸化物誘電体膜上に形成されて結晶化された第2の金属酸化物誘電体膜と、この第2の金属酸化物誘電体膜上に形成された上部電極と、を有することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (2)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z
F-Term (18)：
5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083GA27 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR00 ,  5F083PR03 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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