Pat
J-GLOBAL ID:200903010626643664
半導体膜の成長方法およびこの半導体膜を備えた半導体素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大前 要
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003137815
Publication number (International publication number):2004342851
Application date: May. 15, 2003
Publication date: Dec. 02, 2004
Summary:
【課題】光学的な活性閾値が低い半導体素子を提供する。【解決手段】基板を420°C以上550°C以下に調熱し、前記基板上にガリウム源、インジウム源、ヒ素源およびアンチモン源を供給し、毎秒0.6nm以下の速度で結晶成長させた、ドット構造の均一性、独立性および形成密度が高く、かつ、その純度が高いドット結晶膜を備えた半導体素子とする。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
基板と、前記基板上に設けられたIII-V族化合物半導体膜とを備えた半導体素子であって、
前記III-V族化合物半導体膜は、少なくともガリウム原子、インジウム原子、ヒ素原子およびアンチモン原子を有するドット結晶膜であり、
前記ドット結晶膜の基板と反対側の面には、1以上のドット構造が形成されている
ことを特徴とする半導体素子。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (14):
5F045AA05
, 5F045AA15
, 5F045AB18
, 5F045AB19
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AD08
, 5F045AD09
, 5F045BB09
, 5F045CA12
, 5F045DA56
, 5F073AA75
, 5F073CA17
, 5F073DA06
Patent cited by the Patent: