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J-GLOBAL ID：200903010886174200

低オフアクシスSiCウエハ上のSiCのホモエピタキシャル成長

Inventor： アレクサンダー エリソン ,  クリスター ハリン ,  ビョルン マグヌッソン ,  パイダー バーグマン
Applicant, Patent owner： ノーステル エービー
Agent (1)： 藤田 アキラ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005208524
Publication number (International publication number)：2006028016
Application date： Jul. 19, 2005
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】 1度未満のオフアクシス角を有するSiC基板上でエピタキシャル層成長によるウエハおよびデバイスを完成させる。【解決手段】 SiC基板上に当該基板と同じポリタイプのSiCホモエピタキシャル層を作製する方法であって、前記層を前記SiC基板の表面上に成長させるステップと、1μmまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、上記成長ステップでは前記表面が(0001)基底面に対して0.1度より大きいが1度未満の角度で傾斜している方法。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

SiC基板上に当該基板と同じポリタイプのSiCホモエピタキシャル層を作製する方法であって、 -前記層を前記SiC基板の表面上に成長させるステップと、 -1μmまでの厚さを有する境界層を形成することによりホモエピタキシャル成長を開始するステップとを有し、 上記成長ステップでは前記表面が(0001)基底面に対して0.1度より大きいが1度未満の角度で傾斜している方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B29/36 A ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/205

F-Term (31)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF02 ,  4G077FC04 ,  4G077FD02 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA05 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC14 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045CA01 ,  5F045DA52

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

• 米国特許第4,912,064号明細書
  
• 米国特許第5,011,549号明細書
  
• 米国特許第6,329,088号明細書
  
• 米国特許第6,641,938号明細書
  
• 米国特許第5,248,385号明細書
  
• SiC単結晶薄膜の作製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-080254   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 特開平2-283697
  
• 炭化珪素バルク単結晶の製造装置及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-347316   Applicant：シャープ株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-075775   Applicant：株式会社デンソー
• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-127471   Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

Cited by examiner (5)

• SiC単結晶薄膜の作製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-080254   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所
• 特開平2-283697
  
• 炭化珪素バルク単結晶の製造装置及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-347316   Applicant：シャープ株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-075775   Applicant：株式会社デンソー
• SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-127471   Applicant：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• "High-quality SiC epitaxial layers and low-dimensional heteropolytypic SiC structures grown by solid

Cited by examiner (1)

• "High-quality SiC epitaxial layers and low-dimensional heteropolytypic SiC structures grown by solid