SiC単結晶薄膜の作製法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002080254
Publication number (International publication number)：2003282451
Application date： Mar. 22, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】低い成長温度でSiCの単結晶をホモエピタキシャル成長させて高品質のSiC単結晶薄膜を作製する方法を提供する。【解決手段】単結晶の炭化珪素(SiC)領域を含む基板上に、プラズマ化学気相成長法(プラズマCVD法)を用いて、800〜1200°CでSiCの単結晶をホモエピタキシャル成長させるSiC単結晶薄膜の作製法である。特に、マイクロ波でプラズマを発生させた高密度・高エネルギーのプラズマを利用すること、炭素と珪素の原子供給比(C/Si比)を100以上、供給される原料珪素原子濃度を100mol.ppm以下として成長させることが好ましい。

Claim (excerpt)：

単結晶の炭化珪素領域を含む基板上に、プラズマ化学気相成長法を用いて、800〜1200°CでSiCの単結晶をホモエピタキシャル成長させることを特徴とするSiC単結晶薄膜の作製法。

IPC (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C30B 29/36

FI (3)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C30B 29/36 Z

F-Term (31)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB19 , 4G077EA02 , 4G077ED05 , 4G077HA06 , 4G077TB02 , 4G077TB07 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030JA06 , 4K030JA10 , 4K030JA17 , 4K030LA12 , 5F045AA09 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045BB08 , 5F045DP03 , 5F045DQ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体薄膜の作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-006907 Applicant：キヤノン株式会社
炭化珪素基板およびその製造方法、並びに炭化珪素基板を用いた半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-241899 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体オン絶縁体特にSiCOI構造を製造する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-529740 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

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