シリコン単結晶及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：押田良久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997361217
Publication number (International publication number)：1999189495
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：

【要約】【目的】チョクラルスキー法により、デバイス特性に優れた高品質のシリコン単結晶の製造方法を提供すること。【構成】チョクラルスキー法により結晶育成するシリコン単結晶の製造方法において、結晶の育成は、成長した結晶中に5×1011〜1×1015atoms/cm3となる濃度の水素が添加された不活性ガス雰囲気中で行うとともに、単結晶の成長速度Vと、単結晶成長時のシリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における成長方向の結晶内温度勾配Gとの比V/Gを、リング状の酸化誘起積層欠陥が結晶中心で消滅する臨界値以下に設定された条件下において育成されたシリコン単結晶及びその製造方法である。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により結晶育成するシリコン単結晶の製造方法において、結晶の育成は、水素を含む不活性ガス雰囲気中で行うとともに、単結晶の成長速度Vと、単結晶成長時のシリコン融点から1300°Cまでの温度範囲における成長方向の結晶内温度勾配Gとの比V/Gを、リング状の酸化誘起積層欠陥が結晶中心で消滅する臨界値以下に設定することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 502 , C30B 15/20 , H01L 21/208

FI (3)：

C30B 29/06 502 J , C30B 15/20 , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

シリコン単結晶製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-266768 Applicant：株式会社日立製作所, 日立東京エレクトロニクス株式会社
シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158458 Applicant：住友シチックス株式会社
半導体基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-215028 Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

シリコンの科学, 19960628, 第1刷, p.145-146

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