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J-GLOBAL ID：200903011037999250

半導体装置およびその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
寺本 聡

About 寺本 聡


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994218077
Publication number (International publication number)：1996064834
Application date： Aug. 19, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 単結晶珪素を用いた場合と同様の特性を有するトランジスタを薄膜トランジスタにおいて実現する。【構成】 レーザー光を照射することによって部分的に単結晶と見なせる領域106を形成し、その領域を用いて、少なくもチャネル形成領域112を構成する。このような構成を有する薄膜トランジスタは、単結晶を用いた場合と同様な特性を得ることができる。またこのような薄膜トランジスタを複数並列に接続することにより、実質的にチャネル幅を大きくした単結晶薄膜トランジスタと等価なものを得ることができる。
Claim (excerpt)：
絶縁表面を有する基板上に形成れた薄膜珪素半導体を用いた半導体装置であって、前記薄膜珪素半導体は、実質的に単結晶と見なせる領域を有し、前記領域は活性層の少なくも一部を構成しており、前記領域中には、炭素及び窒素の原子が1×1016cm-3〜5×1018cm-3の濃度で、かつ酸素の原子が1×1017cm-3〜5×1019cm-3の濃度で、かつ珪素の不対結合手を中和している水素の原子が1×1017cm-3〜5×1020cm-3の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336
FI (3)：
H01L 29/78 618 G ,  H01L 21/265 U ,  H01L 29/78 627 G
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (5)
  • 特開平2-140915
  • 特開平2-140915
  • 薄膜トランジスタの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-186653   Applicant：ソニー株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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