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J-GLOBAL ID：200903011278995914

ショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置

Inventor：
戸田 忠夫

About 戸田 忠夫


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998333551
Publication number (International publication number)：2000164528
Application date： Nov. 25, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：
【要約】【課題】 この発明は、取り扱いが容易な金属を用いて、ショットキバリア高さを低下させ、順方向の立ち上がり電圧を低減させた半導体装置を提供する。【解決手段】 高融点金属をショットキ電極4としてSiC半導体層2上に設けたショットキ接合を有する半導体装置であって、上記SiC半導体層2にショットキ電極4の金属が反応した合金層5を形成し、ショットキ接合のバリア高さを下げる。
Claim (excerpt)：
高融点金属をショットキ電極として炭化珪素半導体上に設けたショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置であって、上記炭化珪素半導体にショットキ電極の金属が反応した合金層を形成し、ショットキ接合のバリア高さを下げたことを特徴とするショットキ接合を有する炭化珪素半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (4)：
H01L 21/28 301 F ,  H01L 21/28 B ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 M
F-Term (25)：
4M104AA03 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH17 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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