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J-GLOBAL ID：200903011369188922

MRAM及びMRAMの書き込み方法

Inventor： 本田 雄士 ,  崎村 昇 ,  杉林 直彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 宮本 恵司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001325855
Publication number (International publication number)：2003133530
Application date： Oct. 24, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】MRAMの書き込みにおいて、書き込み電流マージンを大きくすることができる書き込み方式と、その素子構造の提供。【解決手段】磁化が反転可能な自由強磁性層4aと、磁化が反転不可能な固定強磁性層4bと、その間に配設される絶縁膜5とを含む磁気トンネル接合(MTJ)を有するメモリセルが、互いに略直交する上部配線9及び下部配線12に接続され、更に、下部配線に略平行に書き込み専用配線11が設けられ、上部配線からMTJを通って下部配線に流れる電流成分(垂直電流)により、磁性層内に環流状の内部磁場を生成し、この内部磁場により磁性層の磁区構造を不安定とした後、書き込み専用配線に流れる電流により誘起される磁場を用いて、磁性層を磁化反転させて書き込みを行うものであり、垂直電流の大きさを調整することにより外部磁場を小さくし、書き込みマージンを大きくする。

Claim (excerpt)：

メモリセルを構成する磁性層の厚さ方向に電流を流し、該磁性層の磁化反転を補助する手段と、前記メモリセル近傍に設けた配線に流れる電流により誘起される磁場を用いて、前記メモリセルの前記磁性層を磁化反転させる手段とを少なくとも有することを特徴とするMRAM。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (5)：

5F083FZ10 ,  5F083GA15 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-265663   Applicant：株式会社東芝
• メモリセル装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-515275   Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
• 磁化スイッチ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-283276   Applicant：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗素子および多素子型磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-306783   Applicant：松下電器産業株式会社
• 強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-264430   Applicant：富士通株式会社