窒化物半導体レーザ素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117685
Publication number (International publication number)：1999312841
Application date： Apr. 28, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【目的】窒化物半導体レーザ素子を高出力で使用するために、レーザ素子の閾値を低下させる。【構成】第1の主面と第2の主面とを有する窒化物半導体基板の第1の主面上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層とが順に積層され、p型窒化物半導体層側にp電極が形成され、窒化物半導体基板の第2の主面側にn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であり、前記p型窒化物半導体層には、p側クラッド層とそのp側クラッド層の上にp側コンタクト層とを有し、さらにp側コンタクト層側から窒化物半導体の一部を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され、そのストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面が、前記p側クラッド層の膜厚方向において、下端面からp側コンタクト層方向0.2μmよりも基板側にある。

Claim (excerpt)：

第1の主面と第2の主面とを有する窒化物半導体基板の第1の主面上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層とが順に積層され、p型窒化物半導体層側にp電極が形成され、窒化物半導体基板の第2の主面側にn電極が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記p型窒化物半導体層には、p側クラッド層とそのp側クラッド層の上にp側コンタクト層とを有し、さらにp側コンタクト層側から窒化物半導体の一部を除去することにより形成されたストライプ状の導波路領域が形成され、そのストライプの両側面と連続した窒化物半導体の平面が、前記p側クラッド層の膜厚方向において、下端面からp側コンタクト層方向0.2μmよりも基板側にあることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-244701 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平3-257887
窒化物半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-095161 Applicant：日亜化学工業株式会社

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