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J-GLOBAL ID：200903030064125771

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995317846
Publication number (International publication number)：1996274414
Application date： Dec. 06, 1995
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【目的】 活性層に電流を集中させてレーザ発振する窒化物半導体レーザ素子を提供する。【構成】 ストライプ状にエッチングされたp型層の表面に、そのp型層のストライプ幅とほぼ同一の幅で接するストライプ状の正電極が形成されていることにより、正電極の電流がp型層で広がるのを少なくして、活性層に電流を集中させる。

Claim (excerpt)：

ストライプ状にエッチングされたp型層の表面に、そのp型層のストライプ幅とほぼ同一の幅で接するストライプ状の正電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体発光素子およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-202479   Applicant：ローム株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190466   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-219892   Applicant：ローム株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-233178   Applicant：ローム株式会社