Pat
J-GLOBAL ID：200903038554243692

半導体装置及びその作製方法

Inventor：
磯部 敦生

About 磯部 敦生

, 
徳永 肇

About 徳永 肇

, 
山口 真弓

About 山口 真弓


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006045792
Publication number (International publication number)：2006287205
Application date： Feb. 22, 2006
Publication date： Oct. 19, 2006
Summary：
【課題】LDD領域を有する微細TFTを、工程数の少ないプロセスで作製し、各回路に応じた構造のTFTを作り分けることを課題とする。また、LDD領域を有する微細TFTであってもオン電流を確保することを課題とする。【解決手段】ゲート電極を2層とし、下層のゲート電極のゲート長を上層のゲート電極のゲート長よりも長くし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。この際に、レジストの後退幅を利用して上層のゲート電極のみをエッチングし、ハットシェイプ型のゲート電極を形成する。また、配線と半導体膜のコンタクト部をシリサイド化し、コンタクト抵抗を下げる。【選択図】図2
Claim (excerpt)：
基板上に形成され、チャネル形成領域、低濃度不純物領域及び高濃度不純物領域を有する半導体膜と、 前記高濃度不純物領域の一部を露出するように形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成され、第1の導電膜及び前記第1の導電膜上の第2の導電膜でなるゲート電極と、 前記ゲート電極の側面に接して形成されたサイドウォールと、 前記高濃度不純物領域の表面に形成されたシリサイド層と、 前記シリサイド層と接続する配線とを有し、 前記ゲート絶縁膜のチャネル長方向の端部は前記サイドウォールの端部と一致し、 前記第1の導電膜は前記第2の導電膜よりもゲート長方向の長さが長く、 前記低濃度不純物領域は前記第1の導電膜と前記ゲート絶縁膜を介して重なるとともに、前記第2の導電膜と重ならないことを特徴とする半導体装置。
IPC (8)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768
FI (8)：
H01L29/78 616A ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/88 R ,  H01L21/90 A
F-Term (191)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB32 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD62 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF07 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F033GG03 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM18 ,  5F033MM19 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033WW01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX08 ,  5F033XX34 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG37 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ06 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HM13 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
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