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J-GLOBAL ID：200903037762222627

半導電性金属酸化物薄膜の強誘電性メモリトランジスタ

Inventor：
スー シェン テン

About スー シェン テン

, 
リー ティンカイ

About リー ティンカイ

, 
リー ジョン-ジャン

About リー ジョン-ジャン


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (3)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005230168
Publication number (International publication number)：2006060209
Application date： Aug. 08, 2005
Publication date： Mar. 02, 2006
Summary：
【課題】シンプルな製造プロセスによる新規なトランジスタ構造を提供する。【解決手段】本発明によるトランジスタは、半導電性金属酸化物チャネル層(51)と、半導電性金属酸化物チャネル層(51)に提供されたソース領域(64)およびドレイン領域(65)と、ソース領域(64)とドレイン領域(65)との間、かつ半導電性金属酸化物層(51)の上のゲート構造とを備える。その半導電性金属酸化物が、インジウム酸化物と、ルテニウム酸化物と、タングステン酸化物と、モリブデン酸化物と、チタン酸化物と、鉄酸化物と、スズ酸化物と、亜鉛酸化物と、CeO2と、Ga2O3と、SrTiO3と、LaFeO3と、CrxTiyO3とからなる群から選択される。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
半導電性金属酸化物層と、 該半導電性金属酸化物層に提供されたソース領域およびドレイン領域と、 該ソース領域と該ドレイン領域との間、かつ該半導電性金属酸化物層の上のゲート構造と を備えた、トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/786
FI (4)：
H01L27/10 444A ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B
F-Term (54)：
5F083FR06 ,  5F083FR07 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA10 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR09 ,  5F101BA62 ,  5F101BD07 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BH13 ,  5F110AA04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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