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J-GLOBAL ID：200903011715745922

液晶表示パネルの製造方法

Inventor：
山崎 康二

About 山崎 康二


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997247297
Publication number (International publication number)：1999084423
Application date： Sep. 11, 1997
Publication date： Mar. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 戻り光に対する遮光層を設ける一方で、遮光層等からのTFTへのコンタミネーションを低く抑えるなどにより、遮光性能が高く且つトランジスタ特性が高いTFT駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルを製造する。【解決手段】 一対の第1及び第2基板(1、2)間に挟持された液晶(50)と、第1基板にマトリクス状に設けられた画素電極(11)と、これをスイッチング制御するTFT(30)とを備えた液晶表示パネル(100)の製造方法において、第1基板を温度T1でアニールし、この上に遮光層を形成し、更に850°C以下の高温プロセスにより層間絶縁層を形成した後温度T2でアニールし、この上にTFTを温度T3の高温プロセスで形成する(但し、T1≧T2≧T3)。
Claim (excerpt)：
一対の第1及び第2基板と、該第1及び第2基板間に挟持された液晶と、前記第1基板の前記液晶に対面する側にマトリクス状に設けられた複数の透明な画素電極と、該複数の画素電極に夫々隣接する位置において前記第1基板に設けられており前記複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子に夫々対向する位置において前記第1基板と前記複数のスイッチング素子との間に夫々設けられた遮光層と、前記遮光層と前記複数のスイッチング素子との間に設けられた層間絶縁層とを備えた液晶表示パネルの製造方法において、前記第1基板を不活性ガス雰囲気中で且つ所定温度T1でアニールする工程と、該アニールされた第1基板上に、高融点金属シリサイドのターゲットを用いたスパッタリング並びにフォトリソグラフィ及びエッチングにより、前記高融点金属シリサイドから前記遮光層を形成する工程と、該形成された遮光層上に850°C以下の高温プロセスによりシリケートガラスから前記層間絶縁層を形成する工程と、該形成された層間絶縁層を不活性ガス雰囲気中で且つ所定温度T2(但し、T1≧T2)でアニールする工程と、該アニールされた層間絶縁層上に所定温度T3(但し、T2≧T3)の高温プロセスにより前記スイッチング素子を形成する工程とを備えたことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
IPC (8)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 349 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (10)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 349 C ,  H01L 29/78 616 S ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 627 F
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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