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J-GLOBAL ID：200903011882124000

平面研削方法

Inventor：
福田 和哉

About 福田 和哉


Applicant, Patent owner：
株式会社ディスコ

About 株式会社ディスコ


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002070773
Publication number (International publication number)：2003273053
Application date： Mar. 14, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板の裏面研削時において,周縁部に生じるチッピングや基板の破損を抑制可能な平面研削方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板の裏面を平面研削する平面研削方法であって:半導体基板の周縁部を周方向に沿って切断して,裏面に対して略垂直な垂直切断面または裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面を形成する周縁部切断工程と;周縁部が切断された半導体基板の裏面を垂直切断面または傾斜切断面を残存させながら平面研削する裏面研削工程と;を含むことを特徴とする平面研削方法が提供される。かかる構成により,裏面研削時に鋭角形状となりうる箇所を予め除去して,裏面研削用の面取り加工を行うことができる。このため,裏面研削時には,研削に伴う負荷を鋭角形状ではないエッジで受けることができるので,周縁部に生ずるチッピングや半導体基板の割れを抑制できる。
Claim (excerpt)：
半導体基板の裏面を平面研削する平面研削方法であって:前記半導体基板の周縁部を周方向に沿って切断して,前記裏面に対して略垂直な垂直切断面または前記裏面側から表面側にかけて外側に傾斜した傾斜切断面を形成する,周縁部切断工程と;前記周縁部が切断された半導体基板の裏面を,前記垂直切断面または前記傾斜切断面を残存させながら平面研削する,裏面研削工程と;を含むことを特徴とする,平面研削方法。
IPC (4)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 601 ,  B24B 7/20 ,  B24B 9/00 601
FI (4)：
H01L 21/304 631 ,  H01L 21/304 601 B ,  B24B 7/20 ,  B24B 9/00 601 H
F-Term (9)：
3C043BB00 ,  3C043CC01 ,  3C043DD02 ,  3C049AA02 ,  3C049AA11 ,  3C049BA02 ,  3C049CA01 ,  3C049CB02 ,  3C049CB03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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