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J-GLOBAL ID：200903011891391088

半導体記憶装置

Inventor：
細谷 啓司

About 細谷 啓司


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001241132
Publication number (International publication number)：2003060165
Application date： Aug. 08, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 リファレンスセル部の抵抗値のばらつきを抑制する。【解決手段】 半導体装置は、第1のTMR素子13を有するメモリセル部10と、第1のデータを記憶する第2のTMR素子31aと第2のデータを記憶する第3のTMR素子32aとをそれぞれ少なくとも1つ以上有するリファレンスセル部30とを具備する。
Claim (excerpt)：
抵抗変化によって2値のデータを記憶する抵抗素子を備えた半導体記憶装置であって、第1の抵抗素子を有するメモリセル部と、第1のデータを記憶する第2の抵抗素子と、第2のデータを記憶する第3の抵抗素子とをそれぞれ少なくとも1つ以上有するリファレンスセル部とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08
FI (4)：
G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
F-Term (16)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA24 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083JA60 ,  5F083LA01 ,  5F083LA02 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 磁気メモリ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-170765   Applicant：三洋電機株式会社
  • 薄膜磁性体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-243983   Applicant：三菱電機株式会社
  • 磁気ランダムアクセスメモリ回路
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-124766   Applicant：日本電気株式会社
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