プラズマ処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木正次
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993299929
Publication number (International publication number)：1995153743
Application date： Nov. 30, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】プラズマを電極の対向空間にとじ込める為に、対向電極の周縁に沿って形成したナローギャップの間隔を広げられるようにしたプラズマ処理装置を提供することを目的としている。【構成】真空処理室1内に、互いに平行な2枚の電極2、3を設け、一方の電極に高周波電力を印加することにより2枚の電極2、3間で生成させた反応性ガスプラズマによって、いずれかの電極に支持されたウエハー5の表面を処理する装置において、2枚の電極2、3の周縁に沿って、中央部の対向間隔16より狭いナローギャップ部分4が形成してあると共に、一方の電極2の外側面を覆うアースシールド12が絶縁体11を介して設けてあり、アースシールド12の端縁内側に、ナローギャップ部分4内に張出す環状延長部12bが設けてある。

Claim (excerpt)：

真空処理室内に、互いに平行な2枚の電極を設け、一方の電極に高周波電力を印加することにより2枚の電極間で生成させた反応性ガスプラズマによって、いずれかの電極に支持された被処理基板の表面を処理する装置において、前記2枚の電極の周縁に沿って、電極中央部の対向間隔より狭いナローギャップ部分が形成してあると共に、前記高周波電力が印加される一方の電極に、該電極の外側面を覆う、導電性材料製のアースシールドが設けてあり、該アースシールドの端縁内側に、前記ナローギャップ部分内に張出す、環状延長部が設けてあることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開昭62-069620
ドライエツチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-302578 Applicant：日電アネルバ株式会社
高周波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-226043 Applicant：富士通株式会社, 神港精機株式会社

Show all

Return to Previous Page