Y系酸化物超電導線材

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：守谷一雄 , 渡部弘道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008142814
Publication number (International publication number)：2009289666
Application date： May. 30, 2008
Publication date： Dec. 10, 2009
Summary：

【課題】超電導層中に磁束ピンニング点を微細分散させることにより、磁場印加角度依存性に優れたY系酸化物超電導線材を得る。【解決手段】2軸配向性を有する高配向性金属基板11上に、MOD法によるCe-Zr-O酸化物からなる拡散防止層12a及びRFスパッタ法によるCeO2酸化物からなる反応防止層12bを順次積層した2層構造の中間層12並びにTFA-MOD法によるYBayCu3Ozからなる第1の超電導層13a及びTFA-MOD法によるY(Ce、Zr)xBayCu3Ozからなる第2の超電導層13bを順次積層した2層構造の超電導層13を形成し、第2の超電導層13b中に微細に分散したBaCeO3、BaZrO3不純物粒子とこの粒子近傍の無配向領域が磁束ピンニング点を形成することにより、Y系酸化物超電導線材10の磁場印加角度依存性を著しく向上させることができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に1層又は2層以上の中間層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材において、前記酸化物超電導層を前記中間層上に形成した第1の超電導層及びこの第1の超電導層上に形成した第2の超電導層により形成し、前記第1の超電導層をYBayCu3Oz(y≦2、z=6.2〜7、以下同じ。)超電導体により形成するとともに、前記第2の超電導層をYBayCu3Oz超電導体に0.3モル%未満のCe及び/又はZrを添加したY(Ce、Zr)xBayCu3Oz超電導体により形成し、前記第2の超電導層中にCe及び/又はZrを含む磁束ピンニング点を分散させたことを特徴とするY系酸化物超電導線材。

IPC (4)：

H01B 12/06 , C01G 3/00 , C01G 1/00 , H01F 6/06

FI (4)：

H01B12/06 , C01G3/00 , C01G1/00 S , H01F5/08 B

F-Term (16)：

4G047JA04 , 4G047JA05 , 4G047JC02 , 4G047JC03 , 4G047KD02 , 4G047KG04 , 5G321AA04 , 5G321BA01 , 5G321BA03 , 5G321CA04 , 5G321CA05 , 5G321CA13 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321CA38 , 5G321DB22

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開平4-329867号
特開平4-331795号
厚膜テープ状RE系(123)超電導体の製造方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-360788 Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 昭和電線ケーブルシステム株式会社

Cited by examiner (6)

人工ピンを導入した酸化物超電導導体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-135981 Applicant：株式会社フジクラ
高温超電導ワイヤ及びコイル
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-535523 Applicant：アメリカン・スーパーコンダクター・コーポレーション
Re系酸化物超電導線材及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-001443 Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 昭和電線ケーブルシステム株式会社, 株式会社フジクラ

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