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J-GLOBAL ID：200903065801464343

人工ピンを導入した酸化物超電導導体及びその製造方法

Inventor：
五十嵐 光則

About 五十嵐 光則


Applicant, Patent owner：
株式会社フジクラ

About 株式会社フジクラ


Agent (3)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008135981
Publication number (International publication number)：2009283372
Application date： May. 23, 2008
Publication date： Dec. 03, 2009
Summary：
【課題】磁場下における臨界電流特性の向上とともに、無磁場下における臨界電流密度の低下を抑制し、良好な臨界電流特性を有する酸化物超電導導体とその簡便な製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る酸化物超電導導体1は、基体2と、該基体の一方の面上に形成された酸化物超電導層5とを備え、該酸化物超電導層はRE123系の超電導材料からなり、不純物を含まない第一超電導膜3と不純物を含む第二超電導膜4との積層体であって、前記積層体は、前記第一超電導膜と前記第二超電導膜との界面を少なくとも備えることを特徴とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基体と、該基体の一方の面上に形成された酸化物超電導層とを備え、該酸化物超電導層はRE123系の超電導材料からなり、不純物を含まない第一超電導膜と不純物を含む第二超電導膜との積層体であって、 前記積層体は、前記第一超電導膜と前記第二超電導膜との界面を少なくとも備えることを特徴とする酸化物超電導導体。
IPC (5)：
H01B 12/06 ,  H01B 13/00 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ,  H01F 6/06
FI (5)：
H01B12/06 ,  H01B13/00 565D ,  C01G1/00 S ,  C01G3/00 ,  H01F5/08 B
F-Term (17)：
4G047JA04 ,  4G047JC02 ,  4G047JC03 ,  4G047KE02 ,  4G047KG04 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321CA05 ,  5G321CA13 ,  5G321CA18 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA41 ,  5G321DB37
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 特開昭63-318014号公報
  • 特開平4-154604号公報
  • 酸化物超伝導薄膜およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-351165   Applicant：独立行政法人科学技術振興機構, 財団法人電力中央研究所
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Cited by examiner (4)
  • 酸化物超電導体厚膜積層体およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143406   Applicant：旭硝子株式会社
  • 特開平2-260672
  • 特開昭63-318014
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