Pat
J-GLOBAL ID:200903001088096667
ナノドットフラックス・ピン止めセンターを有する酸化物膜
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (4):
廣江 武典
, 武川 隆宣
, ▲高▼荒 新一
, 西尾 務
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006549250
Publication number (International publication number):2007526199
Application date: Nov. 15, 2004
Publication date: Sep. 13, 2007
Summary:
薄膜を製造する方法は、前駆体溶液を、支持体上に蒸着させて、前駆体膜を形成することを含む。前駆体溶液は、塩の内の少なくとも1つがフッ化物含有塩である、1種類またはそれより多くの溶媒中の希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を含めた希土類/アルカリ土類金属/遷移金属酸化物に対する前駆体成分を含有する。前駆体溶液は、単独で、または前駆体溶液中の1つまたは複数の前駆体成分、または希土類/アルカリ土類金属/遷移金属酸化物の元素を置換し、そして前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属および添加剤金属またはドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリドを形成する能力がある1つまたは複数の金属化合物を包含するドーパント成分と組合わせて、第二相ナノ粒子を形成する能力のある1つまたは複数の金属化合物を包含する添加剤成分も含有する。
Claim (excerpt):
前駆体溶液が、
少なくとも1つの塩が、フッ素含有塩である、1種類またはそれより多くの溶媒中に希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を包含する希土類-アルカリ土類金属-遷移金属酸化物に対する前駆体成分、および
希土類/アルカリ土類金属/遷移金属酸化物の希土類およびアルカリ土類金属の内の1つまたは複数を置換する能力のあるドーパント金属を有する金属化合物を包含するドーパント成分を包含するものである、基板上に前駆体溶液を蒸着させて、前駆体膜を形成し、そして
前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属およびドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリド膜を形成させることを包含する薄膜を生成する方法。
IPC (7):
C01G 3/00
, H01B 13/00
, H01F 6/06
, H01L 39/24
, H01B 12/06
, C01B 11/24
, C01G 1/00
FI (7):
C01G3/00
, H01B13/00 565D
, H01F5/08 B
, H01L39/24 B
, H01B12/06
, C01B11/24
, C01G1/00 S
F-Term (21):
4G047JA03
, 4G047JC02
, 4G047KA04
, 4G047KD01
, 4G047LA02
, 4M113BA04
, 4M113BA23
, 4M113CA34
, 4M113CA44
, 5G321AA02
, 5G321AA04
, 5G321BA01
, 5G321BA03
, 5G321BA04
, 5G321BA07
, 5G321CA04
, 5G321CA13
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321DB41
, 5G321DB47
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
-
金属オキシフッ化物の超伝導性酸化物への制御された変換
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平11-504767
Applicant:マサチューセッツインスティテュートオブテクノロジー
-
ナノドットを利用した柱状ピン止め中心を有する超伝導薄膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-185597
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団
-
酸化物超電導体の製造方法、酸化物超電導体用原料、および酸化物超電導体用原料の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-269251
Applicant:株式会社東芝, 日本特殊陶業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター
-
特開平4-305016
-
Bi-Sr-Ca-Cu-O系超電導薄膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-170556
Applicant:財団法人国際超電導産業技術研究センター, 石川島播磨重工業株式会社, 宇部興産株式会社
-
カーボンナノチューブの埋め込みによる促進された磁束ピン止め作用を持つ超電導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-114513
Applicant:日本電気株式会社, フロリダステートユニバーシティー
-
金属酸化物ナノロッド
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平9-530293
Applicant:プレジデントアンドフェローズオブハーバードカレッジ
-
混合した希土類バリウム-銅組成物を含む超伝導構造
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-576473
Applicant:ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
-
超伝導フィルム用ピニング構造およびその作成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-340826
Applicant:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
テープ状酸化物超電導体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-105037
Applicant:財団法人国際超電導産業技術研究センター, 昭和電線電纜株式会社, 株式会社フジクラ, 財団法人鉄道総合技術研究所
-
酸化物超電導厚膜用組成物及び厚膜テープ状酸化物超電導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-325812
Applicant:財団法人国際超電導産業技術研究センター, 旭電化工業株式会社, 昭和電線電纜株式会社, 東京電力株式会社
-
高臨界電流超伝導テープ用構造物
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2002-503883
Applicant:ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
-
酸化物超電導体及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-086092
Applicant:株式会社イムラ材料開発研究所
-
量子欠陥磁束ピン止め型超伝導材料及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-009276
Applicant:科学技術振興事業団, 独立行政法人産業技術総合研究所
-
特許第6676811号
-
臨界電流密度の高い酸化物超電導体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-198284
Applicant:財団法人国際超電導産業技術研究センター, 岩手県
Show all
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
Irreversible properties of coated conductors deposited by PLD on textured technical substrates
Return to Previous Page