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J-GLOBAL ID:200903001088096667

ナノドットフラックス・ピン止めセンターを有する酸化物膜

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 廣江 武典 ,  武川 隆宣 ,  ▲高▼荒 新一 ,  西尾 務
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006549250
Publication number (International publication number):2007526199
Application date: Nov. 15, 2004
Publication date: Sep. 13, 2007
Summary:
薄膜を製造する方法は、前駆体溶液を、支持体上に蒸着させて、前駆体膜を形成することを含む。前駆体溶液は、塩の内の少なくとも1つがフッ化物含有塩である、1種類またはそれより多くの溶媒中の希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を含めた希土類/アルカリ土類金属/遷移金属酸化物に対する前駆体成分を含有する。前駆体溶液は、単独で、または前駆体溶液中の1つまたは複数の前駆体成分、または希土類/アルカリ土類金属/遷移金属酸化物の元素を置換し、そして前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属および添加剤金属またはドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリドを形成する能力がある1つまたは複数の金属化合物を包含するドーパント成分と組合わせて、第二相ナノ粒子を形成する能力のある1つまたは複数の金属化合物を包含する添加剤成分も含有する。
Claim (excerpt):
前駆体溶液が、 少なくとも1つの塩が、フッ素含有塩である、1種類またはそれより多くの溶媒中に希土類元素の塩、アルカリ土類金属の塩、および遷移金属の塩を包含する希土類-アルカリ土類金属-遷移金属酸化物に対する前駆体成分、および 希土類/アルカリ土類金属/遷移金属酸化物の希土類およびアルカリ土類金属の内の1つまたは複数を置換する能力のあるドーパント金属を有する金属化合物を包含するドーパント成分を包含するものである、基板上に前駆体溶液を蒸着させて、前駆体膜を形成し、そして 前駆体膜を処理して、前駆体溶液の希土類、アルカリ土類金属、遷移金属およびドーパント金属を含む中間体金属オキシフルオリド膜を形成させることを包含する薄膜を生成する方法。
IPC (7):
C01G 3/00 ,  H01B 13/00 ,  H01F 6/06 ,  H01L 39/24 ,  H01B 12/06 ,  C01B 11/24 ,  C01G 1/00
FI (7):
C01G3/00 ,  H01B13/00 565D ,  H01F5/08 B ,  H01L39/24 B ,  H01B12/06 ,  C01B11/24 ,  C01G1/00 S
F-Term (21):
4G047JA03 ,  4G047JC02 ,  4G047KA04 ,  4G047KD01 ,  4G047LA02 ,  4M113BA04 ,  4M113BA23 ,  4M113CA34 ,  4M113CA44 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321BA01 ,  5G321BA03 ,  5G321BA04 ,  5G321BA07 ,  5G321CA04 ,  5G321CA13 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321DB41 ,  5G321DB47
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
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Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • Irreversible properties of coated conductors deposited by PLD on textured technical substrates

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