PI3装置および方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：竹内澄夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994111691
Publication number (International publication number)：1995326318
Application date： Apr. 28, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】従来技術のPI3の汚染および粒子の問題を解消し、同時にどの薄い誘電体も破壊することなく浅い接合注入を高い生産率で行う方法および装置を提供する。【構成】連続プラズマを用いない、コールド陰極プラズマイマーションイオン注入(C2PI3)のための注入装置および方法は、非常に短い高電圧で低動作周期のイオン化パルスを利用し、正に帯電したウェーハ表面を中性化するために同期して生成された電子流も合わせて利用する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハにイオンを注入するプラズマエイマーションイオン注入(PI3)方法であって、イオン化可能なガスを含む、低圧のチェンバー内の第1の電極上に前記ウェーハを支持する工程と、第1の短い持続期間の高電圧パルスを前記第1の電極に与え、少なくとも前記ウェーハの極近傍で前記各パルスに応答して短い持続期間のコールド陰極プラズマを誘導する工程と、から成り、前記第1のパルス持続間隔が、前記ガスのコールド陰極イオン化を開始し、かつ前記極近傍の前記プラズマから前記ウェーハに向けて正のイオンを加速するのに十分長く、前記イオンとチェンバーおよびウェーハ材との間の、実質的な数の大きな粒子を形成する反応時間に対し十分に短い、ところの方法。

IPC (4)：

H01J 37/317 , C23C 14/48 , H01J 27/02 , H01L 21/265

FI (2)：

H01L 21/265 D , H01L 21/265 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-280055
高インピーダンスプラズマイオン注入方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-275832 Applicant：ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
プラズマイオン注入装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-202497 Applicant：ヒューズ・エアクラフト・カンパニー

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