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J-GLOBAL ID：200903011977751834

レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法

Inventor： 小澤 美和 ,  野崎 耕司 ,  並木 崇久 ,  今 純一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 廣田 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002240082
Publication number (International publication number)：2004077951
Application date： Aug. 21, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：

【課題】レジストパターンの材料や大きさに対する依存性がなく、レジストパターンを均一にしかも安定に、表面のラフネスを低減した状態で厚肉化し、パターニング時に用いる露光装置における光源の露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料等の提供。【解決手段】樹脂と、架橋剤と、含窒素化合物とを含有するレジストパターン厚肉化材料。レジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することにより厚肉化レジストパターンを形成するレジストパターンの製造方法。下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターン表面に前記厚肉化材料を塗布し該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを製造する工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングすることにより下地層をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

樹脂と、架橋剤と、含窒素化合物とを含有することを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。

IPC (3)：

G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065

FI (3)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/302 105A

F-Term (10)：

2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096JA04 ,  5F004AA04 ,  5F004DA01 ,  5F004DB01 ,  5F004DB08 ,  5F004EA01 ,  5F004EA05 ,  5F046LA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 微細パターン形成材料組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-246686   Applicant：信越化学工業株式会社
• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-038866   Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• 水溶性樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-182778   Applicant：クラリアントインターナショナルリミテッド