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J-GLOBAL ID：200903015206552800

微細パターン形成材料組成物

Inventor： 降▲旗▼ 智欣 ,  加藤 英人
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000246686
Publication number (International publication number)：2002060641
Application date： Aug. 16, 2000
Publication date： Feb. 26, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】 水溶性高分子化合物と酸の存在により架橋反応を生じる水溶性架橋剤とを含有し、酸の存在により非水溶性生成物を生じる微細パターン形成材料組成物において、pH(水素イオン指数)が4.0〜7.0であることを特徴とする微細パターン形成材料組成物。【効果】 本発明の微細パターン形成材料組成物は、保存安定性に優れたものである。

Claim (excerpt)：

水溶性高分子化合物と酸の存在により架橋反応を生じる水溶性架橋剤とを含有し、酸の存在により非水溶性生成物を生じる微細パターン形成材料組成物において、pH(水素イオン指数)が4.0〜7.0であることを特徴とする微細パターン形成材料組成物。

IPC (4)：

C08L101/14 ,  C08K 5/1575 ,  G11B 5/84 ,  G11B 7/26 501

FI (4)：

C08L101/14 ,  C08K 5/1575 ,  G11B 5/84 Z ,  G11B 7/26 501

F-Term (33)：

4J002AA07W ,  4J002AA071 ,  4J002AB03W ,  4J002AB031 ,  4J002BE02W ,  4J002BE021 ,  4J002BE06W ,  4J002BE061 ,  4J002BG01W ,  4J002BG011 ,  4J002BH01W ,  4J002BH011 ,  4J002BJ00W ,  4J002BJ001 ,  4J002CC18X ,  4J002CC21X ,  4J002CH02W ,  4J002CH021 ,  4J002CM01W ,  4J002CM011 ,  4J002EL066 ,  4J002EL106 ,  4J002EP016 ,  4J002FD14X ,  4J002FD146 ,  4J002FD200 ,  4J002GQ00 ,  4J002HA04 ,  4J002HA05 ,  5D112AA24 ,  5D112EE06 ,  5D112GA30 ,  5D121BB11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 水溶性フォトレジスト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-135855   Applicant：凸版印刷株式会社
• ネガ型感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-121049   Applicant：三菱化学株式会社
• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080940   Applicant：三菱電機株式会社