半導体発光装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993189404
Publication number (International publication number)：1995022712
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Jan. 24, 1995
Summary：

【要約】【目的】良好な発光特性でもって、短波長(青色)の光を発振できる半導体発光装置を提供すること。【構成】p型GaAs基板1上に形成され、CdZnSeからなる半導体発光層9と、CdZnSe超格子7aとZnSe超格子7bとからなり、屈折率が半導体発光層9より小さく、且つ量子障壁構造を有する半導体発光層9を挾持する半導体超格子光ガイド層7,11とを備えている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された半導体発光層と、この半導体発光層の片面または両面に設けられ、半導体超格子層により形成され、屈折率が前記半導体発光層よりも小さく、且つ多重量子障壁層が形成されている光ガイド半導体層とを具備してなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平4-273491
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-020912 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-046788

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Cited by examiner (6)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-020912 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-046788
特開昭63-046788

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