スピントランジスタ磁性ランダムアクセスメモリデバイス

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004097244
Publication number (International publication number)：2004297072
Application date： Mar. 29, 2004
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】伝導性の整合によりスピン注入が改良されたスピントロニックデバイスを提供すること。【解決手段】強磁性半導体/半導体ヘテロ接合を利用するスピントランジスタが開示される。強磁性半導体層は、通常の電界効果トランジスタのソースおよびドレイン上に直接ヘテロ接合を形成する。鉄ドープチタン酸化物のような室温の強磁性半導体材料を利用して、スピントランジスタは、半導体ソースおよびドレインを有する強磁性半導体の伝導性の整合により、スピン注入効率が改良され得る。スピントランジスタは、さらに書き込みプレートを含み、メモリ状態を提供する強磁性層の磁気分極を変更する。スピントランジスタは、磁気モーメント誘導抵抗性の変化を利用することによって、潜在的に大きなメモリ信号を有する磁性ランダムアクセスメモリのメモリセルとして利用され得る。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

伝導性の整合によりスピン注入が改良されたスピントロニックデバイスであって、該スピントロニックデバイスは、第1の強磁性半導体層と、第2の強磁性半導体層と、該第1の強磁性半導体層と該第2の強磁性半導体層との間に堆積された半導体層であって、該半導体層は、該強磁性半導体層とのヘテロ接合を形成する、半導体層とを含む、スピントロニックデバイス。

IPC (2)：

H01L27/105 , H01L29/82

FI (2)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 T

F-Term (11)：

5F083FZ10 , 5F083HA06 , 5F083JA35 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA19 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083LA19 , 5F083LA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

米国特許第5,565,695号明細書
米国特許第5,652,445号明細書
米国特許第5,654,566号明細書

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Cited by examiner (5)

磁気抵抗素子および磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-190984 Applicant：松下電器産業株式会社
電圧駆動型スピンスイッチ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-102745 Applicant：新日本製鐵株式会社
スピン偏極伝導電子生成方法および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-061721 Applicant：東北大学長

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Electronic structures of doped anatase TiO2: Ti1-xMxO2(M=Co, Mn, Fe, Ni)

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