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J-GLOBAL ID：200903012094006787

固体薄膜二次電池を内蔵する半導体装置

Inventor：
馬場 守

About 馬場 守


Applicant, Patent owner：
独立行政法人 科学技術振興機構

About 独立行政法人 科学技術振興機構


Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003069100
Publication number (International publication number)：2004281593
Application date： Mar. 14, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：
【課題】近い将来のマイクロマシーニング、ナノマシーニングの到来時において、微細加工が可能な電子素子と一体型のマイクロ二次電池は不可欠な技術となる。従来技術は、回路素子やICの基板の上に薄膜電池を搭載させたハイブリッド型ということが出来るもので、いずれも薄膜電池が半導体基板の上にモノリシックに作られたものではなかった。【構成】半導体素子基板の表面改質により形成した多孔質膜を負極活物質とする固体薄膜二次電池を該基板上に形成することにより固体薄膜二次電池をモノリシックに内蔵させたことを特徴とする半導体装置。半導体素子基板に作り込んだ電子素子と固体薄膜二次電池がモノリシックに回路構成できる。多孔質膜は半導体素子基板のSi結晶表面を表面改質して作製した多孔質シリコン膜か半導体素子基板のSiC結晶表面を表面改質して作製したカーボンナノチューブ膜とすることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体素子基板の表面改質により形成した多孔質膜を負極活物質とする固体薄膜二次電池を該基板上に形成することにより固体薄膜二次電池をモノリシックに内蔵させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L21/822 ,  H01L21/3063 ,  H01L27/04 ,  H01M4/02 ,  H01M4/38 ,  H01M4/58 ,  H01M10/40
FI (6)：
H01L27/04 A ,  H01M4/02 D ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/58 ,  H01M10/40 Z ,  H01L21/306 L
F-Term (32)：
4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072BB10 ,  4G072BB15 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ18 ,  4G072MM40 ,  4G072UU30 ,  5F038BB04 ,  5F038BB10 ,  5F038DF05 ,  5F038DF20 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD14 ,  5F043FF10 ,  5H029AJ00 ,  5H029AL02 ,  5H029AL08 ,  5H029AM11 ,  5H029BJ04 ,  5H029BJ12 ,  5H029DJ02 ,  5H050AA00 ,  5H050BA17 ,  5H050CB02 ,  5H050CB09 ,  5H050DA03 ,  5H050FA02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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