アクティブマトリクス基板及びその製造方法、並びに電気光学装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：渡邊隆 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000034082
Publication number (International publication number)：2001223366
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】走査線の断線不良を低減しつつ、寄生トランジスタを防止したアクティブマトリクス基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】共通基板7上に薄膜トランジスタを配設してなるアクティブマトリクス基板であって、この薄膜トランジスタは、共通基板7上に形成された所定パターンの下地絶縁層30と、下地絶縁層30の上に形成された半導体層9と、下地絶縁層30及び半導体層9の上にゲート絶縁層13を介して形成されたゲート電極4aとを備え、少なくともゲート電極4aで覆われた部分において、下地絶縁層30の側端面30aと共通基板7の表面とのなす角をθ<SB>1</SB>とし、半導体層9の側端面9aと半導体層9の底面9cとのなす角をγとしたとき、135°<θ<SB>1</SB><180°、45°<γ≦90°になっている。

Claim (excerpt)：

共通基板上に薄膜トランジスタを配設してなるアクティブマトリクス基板であって、前記薄膜トランジスタは、前記共通基板上に形成された所定パターンの下地絶縁層と、該下地絶縁層の上に形成された半導体層と、前記下地絶縁層及び前記半導体層の上にゲート絶縁層を介して形成されたゲート電極とを備え、少なくとも前記ゲート電極で覆われた部分において、前記下地絶縁層の側端面と前記共通基板の表面とのなす角をθ<SB>1</SB>とし、前記半導体層の側端面と該半導体層の底面とのなす角をγとしたとき、135°<θ<SB>1</SB><180°、45°<γ≦90°になっていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/3065

FI (4)：

H01L 29/78 618 C , G02F 1/136 500 , H01L 21/302 J , H01L 29/78 626 C

F-Term (91)：

2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA35 , 2H092JA38 , 2H092JA39 , 2H092JA42 , 2H092JA43 , 2H092JA44 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB27 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB36 , 2H092JB38 , 2H092JB57 , 2H092JB61 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA15 , 2H092NA23 , 2H092NA25 , 2H092NA29 , 5F004AA16 , 5F004CA01 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA16 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F004FA03 , 5F110AA06 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG32 , 5F110GG45 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN26 , 5F110NN46 , 5F110NN54 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110QQ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

ポリシリコン薄膜トランジスタ及びそれを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-322980 Applicant：株式会社東芝
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236392 Applicant：株式会社東芝
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-142027 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Return to Previous Page