Pat

J-GLOBAL ID：200903012142844030

銅相互接続構造の形成方法

Inventor： ポウル・ディー・アグネロ ,  リーナ・ピー・ブックウォルター ,  ジョン・ハメル ,  バーバラ・ルーサー ,  アンソニー・ケイ・スタンパー
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999363949
Publication number (International publication number)：2000200832
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】 相互接続構造内に存在する銅表面に対する無機バリア膜の接着性を改良する方法を提供する。【解決手段】 この発明は、デュアル・ダマシン構造のような半導体の相互接続構造内に存在する銅配線または銅バイアに対する付着無機バリア膜の接着性を増大するために、H2 ,N2 ,NH3 ,および希ガス、並びにこれらの混合物から選択される還元プラズマ処理工程を用いる。

Claim (excerpt)：

銅相互接続構造の形成方法において、(a)銅の層を有する相互接続構造を還元プラズマに暴露する工程と、(b)前記暴露された銅相互接続構造上に、無機バリア膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-308006   Applicant：株式会社日立製作所
• 炭化ケイ素の金属拡散障壁層
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-012429   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-249984   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-191804   Applicant：富士通株式会社