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J-GLOBAL ID：200903012172675224

光ファイバー加工用位相シフトフォトマスクの製造方法

Inventor：
栗原 正彰

About 栗原 正彰

, 
駒田 実

About 駒田 実


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 小西 淳美
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995254490
Publication number (International publication number)：1997080738
Application date： Sep. 07, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 光ファイバー加工用の位相シフトフォトマスク 製造方法を提供する。【解決手段】 石英基板の1面に格子状の凹溝を設け、これを光ファイバー加工用のグレーティング(格子)パターンとする位相シフトフォトマスクの製造方法であって、(A)石英基板上にクロム薄膜を成膜する工程、(B)クロム薄膜上に電子線レジストを塗布する工程、(C)電子線描画装置にて露光する工程、(D)現像液にて現像しレジストパターンを形成する工程、(E)レジストパターンをマスクとして、露出した部分のクロム薄膜をCH2 CCl2 ガスを用いてドライエッチングし、クロム薄膜パターンを形成する工程、(F)クロム薄膜パターンをマスクとして、露出した部分を所定の深さだけ、CF4 ガスを用いドライエッチングして石英基板の1面に格子状の凹溝を形成する工程、(G)レジストを剥離し、クロム膜を除去する工程、を含む。
Claim (excerpt)：
石英基板の1面に格子状の凹溝を設け、これを光ファイバー加工用のグレーティング(格子)パターンとする位相シフトフォトマスクの製造方法であって、少なくとも、順に、(A)石英基板上に厚さ10〜20nmのクロム薄膜をスパッタリング等により成膜する工程、(B)前記クロム薄膜上に電子線レジストを塗布する工程、(C)電子線描画装置にて所定の領域を露光する工程、(D)所定の現像液にて電子線レジストを現像しレジストパターンを形成する工程、(E)レジストパターンをマスクとして、レジストパターンの開口部から露出した部分のクロム薄膜をCH2 CCl2 ガスを用いてドライエッチングし、クロム薄膜パターンを形成する工程、(F)次いで、クロム薄膜パターンをマスクとして、石英基板のクロム薄膜パターンの開口部から露出した部分を所定の深さだけ、CF4 ガスを用いドライエッチングして石英基板の1面に格子状の凹溝を形成する工程、(G)レジストを剥離し、クロム膜を除去する工程、を含むことを特徴とする光ファイバー加工用位相シフトフォトマスクの製造方法。
IPC (7)：
G03F 1/08 ,  G02B 5/18 ,  G02B 6/10 ,  G02B 6/16 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (8)：
G03F 1/08 A ,  G02B 5/18 ,  G02B 6/10 C ,  G02B 6/16 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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