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J-GLOBAL ID：200903012240954200

めっき触媒核除去方法及び配線基板の製造方法

Inventor：
高井 健次

About 高井 健次

, 
浦崎 直之

About 浦崎 直之

, 
伊藤 豊樹

About 伊藤 豊樹


Applicant, Patent owner：
日立化成工業株式会社

About 日立化成工業株式会社


Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166115
Publication number (International publication number)：2001342574
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：
【要約】【課題】 配線間の絶縁特性を向上することができるめっき触媒核除去方法及び配線基板の製造方法を提供する。さらに、工程数を減少することができるめっき触媒核除去方法及び配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】 配線基板10の製造方法において、層間絶縁層(樹脂)3、13の表面上にめっき触媒核4、14を形成する。このめっき触媒核4を利用して、無電解めっき層5A、電解めっき層5Bを順次形成し第2の配線5を形成する。また、めっき触媒核14を利用して、無電解めっき層15A、電解めっき層15Bを順次形成し第2の裏面配線15を形成する。引き続き、不必要なめっき触媒核4、14のそれぞれの残査に酸化処理を行い、この酸化処理された残査をめっき触媒除去液で除去する。酸化処理には例えば過酸化水素水等の酸化剤を、めっき触媒除去液には臭化水素酸等を使用することができる。
Claim (excerpt)：
樹脂表面に形成されためっき触媒核を酸化し、酸化されためっき触媒核を溶解除去するめっき触媒核除去方法。
IPC (3)：
C23C 18/20 ,  H05K 3/26 ,  H05K 3/38
FI (3)：
C23C 18/20 Z ,  H05K 3/26 A ,  H05K 3/38 A
F-Term (30)：
4K022AA22 ,  4K022AA37 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA32 ,  4K022BA35 ,  4K022CA06 ,  4K022CA08 ,  4K022CA15 ,  4K022CA17 ,  4K022CA21 ,  4K022CA22 ,  4K022CA23 ,  4K022CA29 ,  4K022DA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343CC33 ,  5E343CC37 ,  5E343CC38 ,  5E343CC46 ,  5E343CC71 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343DD76 ,  5E343EE16 ,  5E343EE17 ,  5E343ER01 ,  5E343ER02 ,  5E343GG14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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