フッ素添加二酸化ケイ素膜の成膜法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大塚康徳 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997529575
Publication number (International publication number)：2001503914
Application date： Feb. 20, 1997
Publication date： Mar. 21, 2001
Summary：

【要約】耐湿性のフッ素含有SiOx膜を合成するプロセスは、シリコンと酸素とフッ素とを含む反応ガスを処理チャンバに供給し、その処理チャンバにおいてプラズマを発生し、基板をその処理チャンバの基板支持台に支持し、その基板に前記プラズマを接触させてその基板上にフッ素含有のSiOx膜を成長させる一方、その膜の温度を300°Cを越えて維持する工程を含む。反応物質であるシリコンとフッ素とはSiH4ガスとSiF4ガスのような別個のガス、或は、SiF4単一ガスによって供給され、反応物質である酸素は純粋な酸素ガスによって供給される。SiH4ガスとSiF4ガスとは、SiH4(SiH4+SiF4)の比が0.5を越えないようにして供給される。このプロセスでは、膜に2〜12原子%のフッ素含有率をもたせ、アルゴンがギャップ充填を補助するためにプラズマ内に含まれる。このプラズマは、ECR、TCP、或は、ICPリアクタにおいて発生する高密度プラズマであり、その基板は1つ以上の金属層を含み、フッ素含有SiOx膜が成膜されるシリコンウェハである。また、基板支持台は、基板を所望の温度に維持するために、その基板支持台と支持台に対向する基板の表面との間の空間に温度制御ガスを供給するガス経路を含む。

Claim (excerpt)：

耐湿性のフッ素含有SiOx膜を合成する(prepare)プロセスであって、シリコンと酸素とフッ素とを含む反応ガスを処理チャンバに供給し、前記処理チャンバにおいてプラズマを発生する工程と、基板を基板支持台に支持する工程と、前記基板に前記プラズマを接触させ、前記基板上にフッ素含有のSiOx膜を成長させる一方、前記膜の温度を300°Cを越えて維持する工程とを有することを特徴とするプロセス。

IPC (3)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

フルオロケイ酸塩ガラス層を形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-255352 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, 株式会社東芝
真空処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-130119 Applicant：株式会社日立製作所
処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-180670 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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