Pat

J-GLOBAL ID：200903022244015750

フルオロケイ酸塩ガラス層を形成する方法

Inventor： デビッド・マーク・ドブジンスキー ,  テツオ・マツダ ,  サン・バン・グエン ,  ジェームズ・ガードナー・ライアン ,  マイケル・シャピロ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  株式会社東芝
Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995255352
Publication number (International publication number)：1996213388
Application date： Oct. 02, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】 誘電率を十分に低下させ、ギャップ・フィル容量を増加させる、十分なフッ素を有するFガラスの安定膜を形成する方法を提供する。【解決の手段】 CVD法において、2つのケイ素源を用いることにより、耐水性のフッ素添加酸化物が形成される。一方はフッ素前駆体であり、他方はフッ素前駆体からの過剰なフッ素と反応するために使用され、層内のフッ素基の数を低減する。フッ素前駆体は他のガラス要素と結合するガラス形成要素を含み、気体内にフッ素の1原子とガラス形成要素の1原子とを含む2原子基を生成する。

Claim (excerpt)：

酸素前駆気体及び少なくとも1原子のフッ素と、少なくとも1原子のガラス形成要素とを含む、気体グループから選択されるフッ素前駆気体を含む前駆気体の組を反応チャンバ内で混合する工程と、プラズマが少なくとも1つの上記前駆気体と相互作用するように、上記プラズマを上記反応チャンバ内に形成及び保持する工程と、上記フッ素前駆気体からのフッ素原子及びガラス形成要素の原子を含むラジカル基を取り込むことにより、フッ素を一部に含む上記酸化物層を形成する工程と、を含む、半導体基板上にフルオロケイ酸塩ガラス層を形成する方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-292107   Applicant：住友金属工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-089891   Applicant：沖電気工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-164831   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222016   Applicant：株式会社東芝
• プラズマCVD装置およびプラズマCVD方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-117304   Applicant：ソニー株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227602   Applicant：株式会社東芝