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J-GLOBAL ID：200903012606864519

半導体発光素子

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995280692
Publication number (International publication number)：1997129921
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】 V族元素として窒素を含有するIII -V族化合物半導体からなる発光層を含む半導体発光素子において、動作電流の一部が電極直下の発光部に流入し、その部分からの発光が外部への光の取り出しに寄与しない問題点を解決する。【解決手段】 透光性の導電性薄膜電極と台座電極からなる電極の台座電極と発光部の間に、動作電流の流通を防止する層を挿入する。
Claim (excerpt)：
基板と、該基板上に形成されたV族元素として窒素を含有するIII -V族化合物半導体からなる発光層を含む発光部と、発光部上の基板と反対側の表面上に配置された第1の電極と、該電極に対して発光層を挟んで反対側に存する基板もしくは半導体層上に配置された第2の電極とを具備し、発光部上の基板と反対側の表面から光を取り出す半導体発光素子に於いて、発光部上の基板と反対側の表面上に配置された第1の電極は、回路基板等への実装或いは結線に供される台座電極と該台座電極に導通する導電性薄膜電極からなり、該導電性薄膜電極は発光部から放出される光に対して透過性を有し、かつ前記台座電極と発光部の間には電流阻止層が存し、該台座電極は該電流阻止層上に配置されており、該電流阻止層は半導体発光素子をなす半導体からなる積層構造の最上部に形成されており、かつ該電流阻止層は比抵抗が1Ω・cm以上の高抵抗の層あるいは発光部を構成する最上層の半導体層とは異なる導電型を有する半導体層からなることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • 光半導体デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-332086   Applicant：スタンレー電気株式会社
  • 化合物半導体光デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-298426   Applicant：日立電線株式会社
  • 半導体光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081948   Applicant：豊田合成株式会社
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Cited by examiner (4)
  • 光半導体デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-332086   Applicant：スタンレー電気株式会社
  • 化合物半導体光デバイス
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-298426   Applicant：日立電線株式会社
  • 半導体光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081948   Applicant：豊田合成株式会社
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