半導体光素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995081949
Publication number (International publication number)：1996250769
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】耐久性の低下、電極付近の劣化を防ぎ、流れる電流を効率良く利用する電極パッドを有する半導体光素子を提供すること。【構成】電極を形成する際、超音波加工によることから、電極パッド下の半導体層が超音波でダメージを受け、結晶性が低下して耐久性低下となっていることが判明した。それで、光信号に直接関係しない電極パッド10下のp層領域に、電流を流しにくくする高抵抗層15を薄く形成する。この高抵抗層15の存在によって電流は電極パッド10領域下部には流れにくくなり、発光に寄与するp層に流れる。LEDの場合、発光に寄与する電流が多くなることから、発光効率が向上する。電極パッド10下の領域にはあまり電流が流れないため、マイグレーションが抑制され、製品としての寿命が長くなり、品質が向上する。

Claim (excerpt)：

ワイヤボンディング用の電極パッドを有し、pn接合を少なくとも一つ有する半導体光素子において、前記pn接合の利用面上の電極パッドの下部に通電電流を制限する高抵抗層を設けたことを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

化合物半導体光デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-298426 Applicant：日立電線株式会社
光半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-217616 Applicant：株式会社東芝
発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-298523 Applicant：沖電気工業株式会社

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