Pat
J-GLOBAL ID：200903012611502030

結晶基板およびその製造方法

Inventor：
木村 明隆

About 木村 明隆


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999178668
Publication number (International publication number)：2001010898
Application date： Jun. 24, 1999
Publication date： Jan. 16, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】裏面が粗研磨のサファイアC面基板上に結晶成長により形成されたGaN層は、表面モフォロジーが悪いという問題があった。【解決手段】本発明の結晶基板は、裏面が鏡面に研磨されたサファイア基板上にエピタキシャル成長により半導体層を形成したことを特徴とする。半導体層は、一般式InxAlyGA1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1)で表される。またその上に第2の半導体層を形成する場合もある。
Claim (excerpt)：
裏面が鏡面に研磨されたサファイア基板上に、エピタキシャル成長により半導体層が形成されたことを特徴とする結晶基板。
IPC (2)：
C30B 29/20 ,  H01L 21/205
FI (2)：
C30B 29/20 ,  H01L 21/205
F-Term (17)：
4G077BB01 ,  4G077FG11 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045CA10 ,  5F045HA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM