半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001117544
Publication number (International publication number)：2001351863
Application date： Mar. 28, 1994
Publication date： Dec. 21, 2001
Summary：

【要約】【目的】良質の多結晶半導体膜を形成させる。【構成】絶縁性基板1上に非晶質半導体膜を堆積させた基板に対して、部分的に加熱する加熱部6を非晶質シリコン膜領域3の方向に移動させるか又は、この非晶質半導体膜を堆積させた基板を加熱部6に対して移動させて熱処理し、非晶質シリコン膜領域3の多結晶化を行うので、加熱領域2に隣接する、加熱光線7によって多結晶化された半導体部分の結晶粒を種結晶として、加熱領域2の移動方向に結晶粒を均一に成長制御させることが可能となる。

Claim (excerpt)：

絶縁性表面を有する基板上に非晶質半導体膜を堆積後、被照射領域が帯状になるように加熱光線を該非晶質半導体膜に照射することで加熱して多結晶半導体領域を形成し、さらに該基板に対して該光線の照射による該帯状の被照射領域を移動させながら、該非晶質半導体膜を多結晶化する半導体装置の製造方法であって、該光線は連続波レーザであり、該基板に対する該被照射領域を移動させる速度は、該多結晶半導体領域を熔融させないようにするとともに、該被照射領域に該光線が照射されてから該非晶質半導体膜が熔融するまでの時間で該帯状の被照射領域の幅を割ることにより得られる速度以下にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

F-Term (37)：

5F052AA02 , 5F052AA27 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA06 , 5F052FA22 , 5F052FA23 , 5F052FA24 , 5F052GA02 , 5F052JA04 , 5F110AA01 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD21 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP07 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110PP36

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜半導体装置、その製法および製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-195906 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
薄膜半導体装置とその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-198781 Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
特開昭62-119914

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

局所ドーピングと基板段差により核形成位置制御したシードレス固相成長

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