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J-GLOBAL ID：200903012696352694

半導体レーザ

Inventor： 沢野 博之
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997130987
Publication number (International publication number)：1998321946
Application date： May. 21, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、自励発振現象を利用した低戻り光雑音特性で、低非点収差でありながら、歩留まりよく製造しうる構造の半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 第1導電型半導体基板1の上に第1導電型クラッド層20、活性層4および第2導電型クラッド層31,32を有し、この第1または第2導電型クラッド層の少なくとも一方に、そのクラッド層よりも小さいバンドギャップを持ち、同一の導電型の可飽和吸収層が挿入された半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収層の上層または下層の少なくとも一方に可飽和吸収層に接して価電子帯エネルギー不連続緩和層36、37を設ける。但し、価電子帯エネルギー不連続緩和層とは、前記可飽和吸収層とそれに接するクラッド層との中間の値を有する連続または不連続の価電子帯エネルギーをもつ層をいう。

Claim (excerpt)：

第1導電型半導体基板の上に順次積層された第1導電型クラッド層、活性層および第2導電型クラッド層を有し、この第1導電型クラッド層または第2導電型クラッド層の少なくとも一方に、そのクラッド層よりも小さいバンドギャップをもちそのクラッド層と同一の導電型を有する可飽和吸収層が挿入された半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収層の上層または下層の少なくとも一方に可飽和吸収層に接して価電子帯エネルギー不連続緩和層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。(但し、価電子帯エネルギー不連続緩和層とは、この層が接する可飽和吸収層とクラッド層との中間の連続または不連続の価電子帯エネルギーをもつ層をいう。)

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-280343   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ,及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-055530   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-183700   Applicant：三井石油化学工業株式会社