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J-GLOBAL ID:200903012793708177
位置ずれ検査方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
稲垣 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998245237
Publication number (International publication number):2000077302
Application date: Aug. 31, 1998
Publication date: Mar. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】 フォトリソグラフィ工程における位置ずれを正確に検査するための位置ずれ検査パターンを提供する。【解決手段】 位置ずれパターンは、ウエハーの露光領域の端部に配置されており、下地に形成される主尺パターン10a、10b、10cと、被加工膜32の上部に形成されるレジストパターンから成る副尺パターン10a、10b、10cとによって構成される。主尺パターン10及び副尺パターン20は、何れも、等幅で等間隔に配置される3本以上の細線で構成される。主尺パターン10と副尺パターン20の間の距離d1、d2の計測には、対物レンズの収差の影響が最も低い、良好な形状の中央の細線10b、20bが利用される。
Claim (excerpt):
フォトリソグラフィ工程に際して下地パターンとレジストパターンとの位置ずれの有無を検査するための位置ずれ検査パターンにおいて、下地パターンを構成する主尺パターン及び該主尺パターンの上層に形成される副尺パターンの少なくとも一方を、所定の間隔を隔てて順次に配置される3又はそれ以上のラインパターンによって構成したことを特徴とする位置ずれ検査パターン。
IPC (2):
FI (4):
H01L 21/30 502 M
, G03F 9/00 H
, H01L 21/30 502 V
, H01L 21/30 522 Z
F-Term (13):
5F046DA13
, 5F046DA14
, 5F046DB05
, 5F046DC14
, 5F046EA04
, 5F046EA09
, 5F046EB01
, 5F046EB05
, 5F046EC05
, 5F046FA11
, 5F046FA20
, 5F046FB08
, 5F046FC04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-159753
Applicant:キヤノン株式会社
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アライメント・マークの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-035947
Applicant:富士通株式会社
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特開平4-024913
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特開平4-024913
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特開平3-287001
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ウエハー露光装置のアライメント方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-218973
Applicant:富士通株式会社
-
半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-137586
Applicant:株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
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