電気光学装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000075017
Publication number (International publication number)：2000349298
Application date： Mar. 17, 2000
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】動作性能および信頼性の高い電気光学装置およびその作製方法を提供する。【解決手段】駆動回路を形成するnチャネル型TFT302にはLov領域207が配置され、ホットキャリア注入に強いTFT構造が実現される。また、画素部を形成するnチャネル型TFT304にはLoff領域217〜220が配置され、低オフ電流値のTFT構造が実現される。この時、入出力信号配線305、ゲート配線306は第1配線と該第1配線よりも抵抗率の低い第2配線とが積層された配線で形成され、配線抵抗が大幅に低減されている。

Claim (excerpt)：

同一基板上に画素部及び駆動回路を含む電気光学装置において、前記駆動回路のnチャネル型TFTのLDD領域は、一部または全部が該nチャネル型TFTのゲート電極とゲート絶縁膜を挟んで重なり、前記画素部の画素TFTのLDD領域は、該画素TFTのゲート電極とゲート絶縁膜を挟んで重ならず、前記画素TFTのゲート電極と同一層で且つ同一材料からなる第1配線に該第1配線よりも抵抗率の低い第2配線が積層された配線を含むことを特徴とする電気光学装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/3205

FI (7)：

H01L 29/78 616 A , G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 R , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 613 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-253080 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-358956 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
表示素子用薄膜トランジスタアレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-131246 Applicant：ソニー株式会社

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