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J-GLOBAL ID：200903012834669092

高温、腐食性、プラズマ環境下でのクリーニングプロセスのための方法及び装置

Inventor： ジュン ザオ ,  リー ロー ,  ジア-シャン ウオン ,  シャオ リャン ジン ,  ステファン ウルフ ,  タレックス サジョト ,  メイ チャン ,  ポール スミス
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998049955
Publication number (International publication number)：1998312976
Application date： Jan. 26, 1998
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】望ましくない金属堆積物を洗浄してプラズマ洗浄処理を提供するための方法と装置を提供する。【解決手段】本発明は、少なくとも400°Cの温度でRFエネルギを用い、一部の実施形態では塩素含有ガス等のハロゲン含有ガスを使用して、望ましくない金属堆積物を洗浄してプラズマ洗浄処理を提供するための方法と装置を提供する。別の実施形態によれば、本発明は、また、無反応性ガスでチャンバを第1の圧力まで加圧して、チャンバ内の内部スペースを無反応性ガスで予備充填するステップと、第1の圧力を洗浄プロセス圧力まで低減するステップと、無反応性ガスが内部スペースからアウトガスを行い、内部スペースへの反応性ガスの侵入を最小にするように反応性ガスを洗浄プロセス圧力でチャンバに流入させるステップと、を含む堆積チャンバを洗浄するプロセスも提供する。

Claim (excerpt)：

約400°Cより高い温度まで加熱し得るヒータを有する基板処理チャンバ内の表面に形成された望ましくない堆積物を洗浄するための方法であって、ヒータを前記チャンバ内で少なくとも約400°Cの第1の温度に維持するステップと、前記チャンバを約0.1〜10torrの圧力に維持するステップと、塩素含有ガス及びプラズマガスを前記チャンバに導入するステップと、前記望ましくない堆積物を前記チャンバ内の前記表面から洗浄する塩素種を含むプラズマを、前記ヒータに隣接して形成するためにエネルギを加えるステップと、を含む方法。

IPC (6)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/00 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31

FI (6)：

H01L 21/285 C ,  C23C 14/00 B ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-222977   Applicant：株式会社日立製作所, 日立テクノエンジニアリング株式会社
• 処理装置及びドライクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-023490   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ装置のクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-067801   Applicant：住友金属工業株式会社