ダイオード及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平山一幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007080153
Publication number (International publication number)：2008244006
Application date： Mar. 26, 2007
Publication date： Oct. 09, 2008
Summary：

【課題】構造が簡単で容易に製作できる新規な酸化物半導体及び有機導電体からなるダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイオード1は、酸化物半導体2と酸化物半導体2上に形成される有機導電体3とからなる接合部8を備え、接合部8がショットキー接合特性を有する。酸化物半導体2は、好ましくは、酸化物半導体結晶や基板上に形成された酸化物半導体薄膜を用いることができる。酸化物半導体2は、TiO2又はSrTiO3からなり、酸化物半導体2には不純物が添加されていてもよい。有機導電体3は、PEDOT:PSSからなる薄膜を使用することができる。ダイオード1の整流特性は良好で製造も容易である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

酸化物半導体と該酸化物半導体上に形成される有機導電体とからなる接合部を備え、上記接合部がショットキー接合特性を有することを特徴とする、ダイオード。

IPC (5)：

H01L 29/47 , H01L 29/872 , H01L 29/861 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (4)：

H01L29/48 D , H01L29/91 G , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G

F-Term (4)：

4M104AA03 , 4M104BB36 , 4M104CC03 , 4M104GG03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

有機-無機半導体ヘテロ接合を有する光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-002208 Applicant：廣井善二, 村岡祐治, 山浦淳一

Cited by examiner (5)

有機-無機半導体ヘテロ接合を有する光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-002208 Applicant：廣井善二, 村岡祐治, 山浦淳一
無機-有機薄膜複合材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-225851 Applicant：カシオ電子工業株式会社, カシオ計算機株式会社
半導体電極形成方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-065561 Applicant：工業技術院長

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