半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人コスモス特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005016584
Publication number (International publication number)：2006210392
Application date： Jan. 25, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】ショットキバリアダイオードとパワーMOSとが同一基板上に形成されたものであって,熱が局所的に集中して発生することを抑制し,高耐圧かつ低オン抵抗であり,製造が容易な半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置200は,ショットキバリアダイオードとパワーMOSトランジスタとが同一基板上に形成されたトレンチゲート型半導体装置であり,ショットキ領域とMOS領域とがトレンチゲート21を境界として交互に配置されている。さらに,N- ドリフト領域12中に濃度が異なる3つの領域(N- ドリフト領域12sm,N--ドリフト領域12s,Nドリフト領域12m)を設けることとしている。具体的に,ショットキ領域に位置するN--ドリフト領域12sは低濃度の領域とし,MOS領域に位置するNドリフト領域12mは高濃度の領域とする。【選択図】図9

Claim (excerpt)：

ショットキバリアダイオード領域と電界効果トランジスタ領域とが同一の半導体基板に形成され,トレンチゲート構造を有する半導体装置において, 半導体基板内の上面側に位置し,第1導電型半導体であるドリフト領域と, 半導体基板内の上面側であって前記電界効果トランジスタ領域内に位置し,下面が前記ドリフト領域と接し,第2導電型半導体であるボディ領域と, 半導体基板内の上面上であって前記ショットキバリアダイオード領域内に位置する金属層と, 前記ドリフト領域に囲まれ,第2導電型半導体であるフローティング領域と, 底部が前記フローティング領域内に位置し,ゲート電極を内蔵するトレンチ部とを有し, 前記ショットキバリアダイオード領域と前記電界効果トランジスタ領域とは,前記トレンチ部によって区画されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 29/872 , H01L 29/47

FI (2)：

H01L27/06 102A , H01L29/48 F

F-Term (29)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB22 , 4M104CC03 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG14 , 5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AB07 , 5F048AC10 , 5F048BA04 , 5F048BA12 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BD09 , 5F048BE09 , 5F048BF15 , 5F048BF17 , 5F048BF18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-398857 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-024284 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (6)

ショットキーダイオード付きトランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-005271 Applicant：新電元工業株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-024284 Applicant：株式会社東芝
特表平5-506335

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