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J-GLOBAL ID：200903012973903393

露光方法及び露光装置

Inventor：
入江 重夫

About 入江 重夫


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000192455
Publication number (International publication number)：2002015970
Application date： Jun. 27, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：
【要約】【課題】 EUV光を用いてマスクに形成されているマスクパターンをレジスト膜に転写する工程を繰り返し行なっても、レジスト膜に照射される露光量が低下しないようにする。【解決手段】 真空チャンバー100の内部において、所望のパターンを有する反射型マスク106の表面に形成されている堆積膜を真空チャンバー100の内部に発生させた酸素プラズマ115により除去する。真空チャンバー100の内部において、EUV光源から出射されたEUV光を、堆積膜が除去された反射型マスク106を介してレジスト膜102に照射して、反射型マスク106のパターンをレジスト膜102に転写する。
Claim (excerpt)：
極端紫外光を、所望のパターンが形成されているフォトマスクを介してレジスト膜に照射して、前記所望のパターンを前記レジスト膜に転写する露光方法において、前記極端紫外光を前記フォトマスクを介して前記レジスト膜に照射する前に、前記フォトマスクの表面に付着している堆積膜を除去するクリーニング工程を備えていることを特徴とする露光方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521
FI (4)：
G03F 7/20 502 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 503 G ,  H01L 21/30 531 A
F-Term (14)：
2H097BA02 ,  2H097BA04 ,  2H097CA13 ,  2H097LA10 ,  5F046AA17 ,  5F046AA22 ,  5F046CD02 ,  5F046CD03 ,  5F046GA07 ,  5F046GA12 ,  5F046GA20 ,  5F046GB01 ,  5F046GC05 ,  5F046GD10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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