半導体発光素子および発光ランプ

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福島祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997069421
Publication number (International publication number)：1998270754
Application date： Mar. 24, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】光出力が向上された半導体発光素子を提供することである。【解決手段】サファイヤ基板1上にAlGaNバッファ層1a、n側コンタクト層を兼ねるn型GaNクラッド層2、n型InGaN活性層3、p型AlGaNクラッド層4およびp型GaNコンタクト層5が順に形成される。p型GaNコンタクト層5からn型GaNクラッド層2の所定深さまでの一部領域が除去され、n型GaNクラッド層2が露出している。露出したn型GaNクラッド層2上にn側電極6が形成され、p型GaNコンタクト層5上にp側電極8が形成される。サファイヤ基板1の裏面に金属反射膜8が形成される。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に発光層を含む複数の半導体層が積層されるとともに、前記透光性基板の裏面に前記発光層により発生された光を反射する反射層が形成されたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190069 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
窒化物半導体発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217594 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭59-023579

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Cited by examiner (5)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190069 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
窒化物半導体発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217594 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開昭59-023579

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